ZEM臺(tái)式掃描電鏡在芯片微觀形貌以及成分分布分析的應(yīng)用

ZEM臺(tái)式掃描電鏡，可為芯片制造提供了全流程檢測(cè)解決方案。

ZEM臺(tái)式掃描電鏡背散射電子探測(cè)器（BSE），清晰呈現(xiàn)晶體管的三維形貌，清晰定位識(shí)別柵極氧化層厚度異常及溝道界面缺陷等關(guān)鍵工藝問題。利用ZEM臺(tái)式掃描電鏡的SE二次電子成像探測(cè)器，可有效發(fā)現(xiàn)銅互連導(dǎo)線中的微孔洞和電遷移微觀現(xiàn)象，及時(shí)預(yù)警電路過載風(fēng)險(xiǎn)。

ZEM臺(tái)式掃描電鏡可結(jié)合能譜儀，通過元素分布圖譜，定位芯片重金屬污染（如鐵、鎳顆粒）的位置，輔助用戶分析硅晶圓制造過程中的工藝污染源。

ZEM臺(tái)式掃描電鏡在芯片制造中的優(yōu)勢(shì)

①體積小巧，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)：由于ZEM臺(tái)式掃描電鏡體積小巧，通常為傳統(tǒng)設(shè)備的20%，對(duì)環(huán)境的要求不高，可直接在普通實(shí)驗(yàn)室、芯片封裝生產(chǎn)線，或移動(dòng)檢測(cè)車內(nèi)使用。

②高效檢測(cè)：ZEM臺(tái)式掃描電鏡可超快速抽真空，只需移動(dòng)鼠標(biāo)，即可完成所需操作，可實(shí)現(xiàn)單日處理大量芯片樣本的高效檢測(cè)。

③原位臺(tái)拓展功能：可集成原位熱臺(tái)模塊，實(shí)時(shí)捕捉芯片高熱工況下的形變特征，為長(zhǎng)期使用穩(wěn)定性提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。這種實(shí)時(shí)反饋機(jī)制形成的"檢測(cè)-分析-工藝優(yōu)化"閉環(huán)系統(tǒng)，可顯著提升了芯片的出廠合格率。